数码时代——新一代闪存技术剖析[图]

 以立体空间换取大容量－三维存储芯片技术

　　相比制造工艺的稳步升级，向空间扩展的三维存储技术看起来更加疯狂女生乳裸妆图片不模糊免费。该技术由一家名为Reveo的存储技术开发企业提出，该公司表示，它们已经成功实现3D结构的闪存芯片，在现有技术条件下，可让闪存的最高容量达到现有技术的1000倍以上，听起来让人觉得非常不可思议一个男人说把你当个女人看是什么意思。

　　前面提到，提高芯片容量不外乎这么几种方法：改良逻辑结构以提高其存储密度、更先进的工艺使芯片可集成更多的晶体管、芯片堆叠封装技术达到翻倍的效能陈都灵泳装比基尼。这些方法对容量的提升都立竿见影，不过，逻辑结构不可能经常性改良，达到一定程度后将接近极限，难有持续性提升的可能搞笑女必备表情包。芯片堆叠封装也是如此，真正可以让闪存容量稳步提升的只有依靠半导体制造工艺了，我们可以看到，每一次工艺的升级都会带来容量的大幅提升，各半导体厂商对此甚为积极性感图片背影私照片。然而，提升工艺的代价高得惊人，从0.13微米到0.11微米、到90纳米、再到60纳米，每一步工艺转换都需要花费数十亿美元的巨额资金，即便是实力雄厚的半导体业巨头也都难以承受，制造出的高容量显存价格也是居高不下比基尼一根绳连体。而Reveo所提出的3D存储芯片则是一套低成本、高收益的方案，采用这项技术，闪存厂商根本无需升级工艺就能够轻易实现超大容量，其关键就在于3D存储的多层电路机制美女图片漂亮可爱甜美。

　　我们知道，现有各种半导体芯片都采用平面的结构，硅芯片上只有一个功能完整的电路，要提高容量就得扩大晶体管规模，芯片面积增大，成本上扬妹子图片集。Reveo的设计其实非常简单：在现有逻辑电路层的基础上再加多层同样的电路，芯片容量即可翻倍性感图片表情私照片。Reveo表示，只要高度允许，闪存厂商可以轻易制造出含1000层逻辑电路的闪存，并将它们整体封装为一枚单芯片，在当前技术条件下即可获得1TB海量的超级闪存4个字独特骚气的名字。该方案最大的优点在于廉价实现，现在的0.13、0.11微米工艺均可适用，企业无需花费巨资建设新工厂或者提升工艺水平，制造大容量闪存的成本只有常规模式的10%，将其快速推入主流市场完全可行美女艳照骚私照片真人图片大全集。

　　Reveo 3D存储芯片方案具有革命性的意义，但它要投入实用也许尚需时日免费性感私照。Reveo只是一家存储技术开发公司，在闪存业几乎没有什么影响力，加上需要多大容量的闪存完全取决于数码产品的技术水平，以目前的状况为例，1到2GB容量已经相当可观，超过这个限度就已经没有用武之地了女私照片骚气一点的。不过，如果3D存储技术得到应用，同样能够明显降低大容量闪存的制造成本，对那些不愿花费巨资转换工艺的闪存厂商尤其具有实用价值性感美图私照片背影图片。